【教程】小安派BW21-CBV-Kit——Flash之读、写字

# 材料 * [BW21-CBV-Kit]([https://item.taobao.com/item.htm?id=862824500706&pisk=fNgrCFvhFULPplv5f8zFuhvZJvU8PPp_t2wQtXc3N82k2X1H8xk-Vk2B2vrEdxEnPzGS3JkIs0M7PkTnuWNGZMVhqEb0NWrndJG5wmHssagW2y_UyyUHCdT65bG8JyVy1fQNwrVL9MYQKkXcgNjL3dT65j-uwyGDC46-1aEaOyVuxJjDgWVGryquZiA4tW6uK8DnifOsngRlDk9i6-md3TlefHXbnwbnzeEzQn2bMSgV2uwZZXXdp6Fz4Rcu3dKCIAqm9kud9wzEZcHLsYXkCuhn0xPz8EsuSjonQS3k5TPxVjDLnf5FWb4ruqo30QYogzyzf4rGOgUrxY3U205p6j4oHceTqnpYg4g_YREVnLcjg8qZYgkOpSAzh2nPKMruMSy6gIuPMpm-q9fTCMILmPF4CQN5vMEuMSy6gISdvo4TgRO7N&skuId=5849278146240&spm=a1z10.5-c-s.w4002-24271435864.48.73241e88GUX7ze](https://item.taobao.com/item.htm?id=862824500706&pisk=fNgrCFvhFULPplv5f8zFuhvZJvU8PPp_t2wQtXc3N82k2X1H8xk-Vk2B2vrEdxEnPzGS3JkIs0M7PkTnuWNGZMVhqEb0NWrndJG5wmHssagW2y_UyyUHCdT65bG8JyVy1fQNwrVL9MYQKkXcgNjL3dT65j-uwyGDC46-1aEaOyVuxJjDgWVGryquZiA4tW6uK8DnifOsngRlDk9i6-md3TlefHXbnwbnzeEzQn2bMSgV2uwZZXXdp6Fz4Rcu3dKCIAqm9kud9wzEZcHLsYXkCuhn0xPz8EsuSjonQS3k5TPxVjDLnf5FWb4ruqo30QYogzyzf4rGOgUrxY3U205p6j4oHceTqnpYg4g_YREVnLcjg8qZYgkOpSAzh2nPKMruMSy6gIuPMpm-q9fTCMILmPF4CQN5vMEuMSy6gISdvo4TgRO7N&skuId=5849278146240&spm=a1z10.5-c-s.w4002-24271435864.48.73241e88GUX7ze)) x 1 # 示例 ### 说明 Flash Memory API 使用 3 \* 4K 字节的内存（12Кb），这对于大多数应用程序来说通常是足够的。然而，更大的可以通过指定特定的内存地址和所需的大小来提供内存。 在本例中，指定 flash 的起始地址为 0xFD00（“FLASH\_MEMORY\_APP\_BASE”），大小为 0x1000。使用偏移量 0x1F00，即 flash 中的 0xFD000+0x1E00 = 0xFEE00。读取地址的值，然后加 1。接下来，将新值写入相同的地址。最后一步，再次从地址中读取值，并与增加的值进行比较。如果值相同，则证明读写一个字成功。每次 BW21-CBV-Kit 重新启动时，读取值都会增加，直到“RESET\_THRESHOLD”（最多为 0xFFFFFFFF），然后重置为 0。 ### 实现流程 打开示例**“文件”->“示例”->“amebafashmemory”->“ReadWriteWord”。** 编译并上传到 BW21-CBV-Kit，多次按复位按键。打开串行监视器，查看结果。  默认情况下，Flash Memory API 使用地址 0xFD000～0xFFFFF 来存储数据。写入 Flash 时有限制。也就是说，除非先擦除扇区，否则不允许直接将数据写入上次写入时使用的地址。Flash Memory API 有 1 个擦除相关功能。 * 使用“FlashMemory.eraseSector（sector\_offset）”擦除 Flash 目标地址的一个扇区（4K 字节）。 * 使用“FlashMemory.eraseWord（offset）”擦除 Flash 目标地址的一个字（4 字节）。